英特尔新制程落后，2021年或被台积电超车

研究机构Linley Group发布芯片产业报告指出，英特尔（Intel）开发新制程落后，原有的芯片制造技术优势也几乎荡然无存。

首席分析师Linley Gwennap写说，英特尔的10纳米制程一再延误，导致冲刺下一代制程进度现不仅落后给台积电，三星与其伙伴GlobalFoundries也准备超车。

据悉，台积电计划于今年6月份开始量产7nm FinFET芯片，届时台积电将实现7nm芯片100%的市场份额，而高通、海思和Xillinx都是台积电的大客户，7nm这项工艺的收益将在第二季度开始体现。

三星已经完成了7nm制程技术的开发，并且在这一制程技术中使用了极紫外线曝光设备（EUV）。最初，该公司预计7 纳米制程技术的开发将在2018 年下半年完成，但是，未来追赶台积电的脚步，现在已经提前半年完成。有消息指出，高通正准备向三星发送其新移动芯片样品。

报告分析各大厂生产的芯片电路密度，以及其它工艺技术指标，结论是其它竞争者所采用的技术水平均已逼近英特尔，比如台积电的7纳米与英特尔10纳米几乎没有差距。报告指出，三大竞争厂商在采购下一代微影技术（lithography）设备均比英特尔积极，不排除三者2021年都将超越英特尔。

英特尔护城河被对手一一攻破，未来营收展望堪忧。日前有消息传出，苹果最快2020年于部分Mac电脑以自家研发的处理器取代英特尔处理器，恐冲击英特尔营收。